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4、美光宣布斥资2000 亿美元用于扩大对尖端 DRAM 制造和研发的美国投资
据韩媒thebell报道，SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的投资，目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器（HBM）的生产。
与前一代1b工艺相比，SK海力士1c DRAM生产率提高30%以上，将大多数都用在高性能数据中心，其工作速度为8Gbps，与前一代相比速度提高了11%，能效提高了9%以上。
SK海力士推迟1c DRAM量产线建设的原因主要在于，包括英伟达在内的主要AI半导体公司正在源源不断地涌入HBM订单。SK海力士今年的HBM产能已经售罄，明年的产能计划将在今年上半年完成与客户的最终协商。
据业界分析，HBM的盈利能力是普通DRAM的3-5倍。目前，HBM3 8层（24 GB）和HBM3E 8层（36 GB）产品售价分别在200美元出头和300美元出头。而计划在今年下半年及明年量产的HBM4 12层产品售价预计将超过600美元。
鉴于此，SK海力士正专注于扩大其1b DRAM产能，以作为HBM3E和HBM4核心芯片。其计划于下半年竣工的M15X也将安装1b DRAM量产线月举行的第一季度电话会议上也表示：“考虑到当前不确定的外部环境，正如我们之前强调的那样，我们将以需求可预见性高且盈利能力有保障的产品为中心来投资，并进一步提升投资效率。”
业界预计，SK海力士将在HBM4E量产后扩大1c DRAM的产能。SK海力士计划从HBM4E开始将1c DRAM用作核心芯片。
据半导体设备业内人士透露，目前主要AI半导体公司对HBM4的需求比预期延迟了，未来HBM4E的量产也有一定可能会延迟。考虑到需求和盈利能力，SK海力士不需要仓促投资1c DRAM。
与SK海力士不同，三星电子正在加快1c DRAM的量产速度，主因其采用1c DRAM作为HBM4核心芯片，并计划于今年下半年实现量产，预计将于2026年开始商业供应。近日有报道称，为提高良率，三星电子决定在1c DRAM生产中采用干式PR（光刻胶）技术。此外，还计划将飞秒激光技术引入HBM制造流程。
近日，美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana公开表示，DDR4/LPDDR4X停产计划已通过信函通知PC及数据中心等领域客户，未来两到三个季度内，出货量将逐步减少。未来，美光将仅向汽车、工业和通信三大应用领域的长期客户供应DDR4/LPDDR4X产品。他进一步表示，未来DDR4将持续保持“严重供不应求”状态。
近日，韩国科学技术院（KAIST）电气电子工程系金正浩教授领导的KAIST Terralab实验室公布了HBM4到HBM8技术路线年）。该路线图包含了下一代HBM的结构、性能和特点，涵盖HBM架构、冷却方式、硅通孔（TSV）密度、中介层设计等。
金教授表示，从HBM5开始，冷却技术将成为关键，通过3D异构集成和先进封装技术，将部分基础芯片（Base Die）移至HBM顶部。原因就在于基础芯片温度上升，从HBM4开始，Base Die将取代部分图形处理器（GPU）角色。目的是快速处理数据。但是温度上升后，整个内存很快就会变热。
HBM5的结构反映了将包含基础芯片的封装浸入冷却液的浸没式冷却（Immersion Cooling）方式。现有的液体冷却（Liquid Cooling）方式在数据处理能力上已达到极限。
液体冷却适用于HBM4，在包装顶部的散热器内通入冷却水散热。为了缩小散热器与基础芯片的间距，将部分基础芯片向上移动了。
金教授指出：“冷却液的种类和流速、如何冷却升温的冷却液、和防止漏水（防漏）将成为竞争力的关键。”另外，还专门开辟了一条热量流通的通道，结构上区分开现有的TSV以及热量（TTV）、接地（TGV）、电力（TPV）传输的通道。
分析指出，从HBM7（2035年）开始，需要在DRAM芯片之间通入冷却液（嵌入式冷却，Embedded Cooling）来散热。冷却液流动的通道（流体硅通孔，fluidic TSV）也将独立存在。
金教授还表示，包含HBM7的封装将与垂直堆叠3D NAND的高带宽闪存（HBF）等多种架构相结合，从而扩展性能和容量。预计HBM8（2038年）将采用“全3D结构（Full-3D Structure）”，例如在GPU顶部搭载HBM等。”他补充道：“继HBM5之后，在HBM7上冷却方式将再次成为决胜的关键。”
金教授预测，键合（Bonding）技术也将决定未来HBM的竞争力。他反复强调，这对韩国中小企业来说是一个“新机遇”。
不仅是HBM5的TTV、TGV、TPV，从HBM6（2032年）开始，将出现玻璃与硅结合的“混合中介层（Hybrid Interposer）”，需要高精度的布线工作才能将有源电路元件和计算元件安装到中介层上。
4、美光宣布斥资2000 亿美元用于扩大对尖端 DRAM 制造和研发的美国投资
当地时间12日，美光与特朗普政府宣布，美光计划将其美国投资扩展至约 1500 亿美元用于内存制造，以及 500 亿美元用于研发，预计将创造 9 万个直接和间接就业岗位。美光计划在原有计划之外再投资 300 亿美元，这中间还包括在爱达荷州博伊西建设第二个尖端内存晶圆厂；弗吉尼亚州马纳萨斯扩建并现代化改造；并将先进封装能力引入美国，以支持高带宽内存（HBM）的长期增长，而 HBM 对AI市场至关重要。此外，美光还宣布了一项计划中的 500 亿美元国内研发投资，重申其作为全球内存技术领导者的长期地位。如之前宣布，美光的投资包括其在纽约的大型晶圆厂计划。
美光斥资约 2000 亿美元在美国的扩张计划包括在爱达荷州建设两个尖端大型晶圆厂，在纽约州建设多达四个尖端大型晶圆厂，扩建并升级其位于弗吉尼亚州的现有制造晶圆厂，提升先进的 HBM 封装能力，并进行研发，以推动美国创新和技术领头羊。这些投资旨在使美光能够很好的满足预期的市场需求，保持市场占有率，并支持美光在美国生产其 40% DRAM 的目标。
美光位于爱达荷州的首座晶圆厂已完成关键建设里程碑，预计2027年开始量产DRAM。第二座爱达荷州晶圆厂将提升美光在美国的 DRAM 产量，以满足由AI推动而一直增长的市场需求。美光预计将于今年晚些时候在纽约州完成州和联邦政府的环境审查程序后开始做场地准备工作，预计第二座爱达荷州晶圆厂将比第一座纽约晶圆厂更早投产。美光将继续依据市场情况管理其供应增长。
在完成第二座爱达荷州晶圆厂建设后，美光计划将先进的HBM封装能力引入美国。此外，美光已最终确定获得 2.75 亿美元的《芯片法案》直接资助，用于支持其今年将启动的弗吉尼亚州马纳萨斯工厂的扩建和现代化改造投资。这项投资将使美光的 1-alpha DRAM 在美国本土生产。
美东时间6月12日，在Advancing AI 2025大会上，AMD发布了专为 AI 工作负载打造的全新MI350系列GPU--MI350X 和 MI355X。其中，MI350X 和 MI355X采用相同的底层设计，配备高达288GB的HBM3E内存、8TB/s的内存带宽，并新增对FP4和FP6数据类型的支持。两者的不同之处在于，MI350X针对风冷解决方案优化，功耗相比来说较低；而MI355X则专为液冷系统模块设计，追求极致性能表现。
英伟达CEO黄仁勋近日表示，不认为英伟达芯片会被特殊应用IC（ASIC）取代，也不担心因他厂ASIC的开发计划，在全球AI芯片市场中有被边缘化的风险。
他认为，ASIC的作用不大，开发ASIC不难，困难是在部署。ASIC根本没办法取代英伟达现有的芯片，反之如果英伟达能提供更好的技术，开发ASIC就毫无意义。
此外，他表示，由于美国对中国芯片销售实施了严格的贸易限制，英伟达将不再将中国市场纳入其收入和利润预测中。
当地时间14日，亚马逊宣布计划在未来 5 年（2025-2029 年）向澳大利亚投资 200 亿澳元，用于扩建数据中心基础设施，以满足云端计算和人工智能的强劲需求增长。
6月以来，亚马逊已宣布多项资本预算：6月9日宣布计划在美国宾州投资至少200亿美元，打造多座高科技云端运算与AI创新园区；6月4日，宣布计划在美国北卡罗来纳州投资约100亿美元以扩展数据中心基础设施，用于AI和云端运算技术。
亚马逊今年首季资本支出总额约为250亿美元，预计今年剩余时间将维持此一支出水平。
